本發(fā)明涉及一種具有電磁阻抗?jié)u變基體的吸波陶瓷基復合材料快速制備方法，首先采用CVI或PIP工藝制備多孔的碳基復合材料，然后采用RMI工藝得到C?SiC基復合材料，最后采用氮化工藝，將復合材料中的殘余Si轉化為Si₃N₄，由此得到基體物相組成由內而外為C→SiC→Si₃N₄，與自由空間的電磁阻抗匹配性能逐漸改善；由外而內為Si₃N₄→SiC→C，對電磁波的損耗能力逐漸增強的吸波型陶瓷基復合材料。本發(fā)明工藝可控性強，而且與CVI和PIP法相比具有制備周期短、生產成本低。復合材料在電磁性能方面，基體材料由內而外與自由空間的阻抗匹配性能逐漸改善，由外而內對電磁波的損耗能力逐漸增強，有利于提高復合材料的吸波性能。