本發(fā)明提供了一種低二次電子發(fā)射系數(shù)的
復(fù)合材料及其制備方法,屬于微波部件微放電技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明涉及陶瓷?聚合物復(fù)合材料以及聚合物PCBM/PI復(fù)合材料。該陶瓷?聚合物電介質(zhì)復(fù)合材料包括聚合物以及鈮酸鹽,鈮酸鹽是帶有負(fù)電性的二維納米結(jié)構(gòu)的化合物;聚合物材料PCBM是具有帶負(fù)電性的粉狀聚合物。本發(fā)明利用負(fù)電性材料在聚合物基體中形成的局域反向電場抑制二次碰撞電子的產(chǎn)生和運(yùn)動(dòng),相對于聚合物基體,該復(fù)合材料的二次電子發(fā)射系數(shù)得到了有效降低。
聲明:
“低二次電子發(fā)射系數(shù)的復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)