本發(fā)明公開了一種硫化鎘敏化硅納米線
復合材料及制備和應用,包括硅納米線的制備和硫化鎘敏化硅納米線復合材料的制備。硫化鎘敏化硅納米線復合材料的制備運用連續(xù)離子層吸附反應(SILAR)的方法,將長有硅納米線的硅片,首先浸漬于Cd(NO3)2的乙醇溶液2?min,然后被浸漬于乙醇中1?min并在空氣中干燥,之后被浸漬于Na2S的甲醇溶液2?min,最后被浸漬于甲醇中1?min并且在空氣中干燥,其中硝酸鉻和硫化鈉的摩爾比為Cd(NO3)2 : Na2S=1 : 1,此為一個循環(huán),重復循環(huán)5~10次,最后在60℃烘箱中干燥即得到硫化鎘敏化硅納米線復合材料。本發(fā)明將金屬援助化學刻蝕法與連續(xù)離子層吸附反應(SILAR)法制備后沉積半導體量子點的方法相結合,所制備的硫化鎘敏化硅納米線復合材料可廣泛應用于光電、催化等領域。
聲明:
“硫化鎘敏化硅納米線復合材料及制備和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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