本發(fā)明公開了一種高分子
復(fù)合材料界面層間鄰近度的測試方法,具體為基于熒光共振能量轉(zhuǎn)移技術(shù)表征高分子復(fù)合材料界面層間高分子鏈與金屬、無機(jī)基底之間相對距離的方法。本發(fā)明將熒光供體和熒光受體分子分別接枝到高分子復(fù)合材料的高分子鏈上和基底表面,采用表面反射的方式采集不同工藝處理后復(fù)合材料的熒光光譜,通過比較熒光光譜中熒光受體和供體特征峰的強(qiáng)度比值大小,獲得界面層間高分子鏈與基底之間鄰近度,根據(jù)鄰近度的變化可判斷不同工藝處理的復(fù)合材料界面結(jié)合力的強(qiáng)弱。
聲明:
“高分子復(fù)合材料界面層間鄰近度的測試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)