本發(fā)明公開了一種在硅片上復(fù)合ZNO錐狀納米結(jié)構(gòu)的
半導(dǎo)體材料及其制備方法,其材料包括襯底,該襯底采用硅片,襯底表面生長有ZNO晶體;所述的ZNO晶體沿垂直于硅襯底方向生長并呈六角纖鋅礦尖錐型結(jié)構(gòu),長度為5~10ΜM,底端直徑為3~6ΜM,尖端為100~150NM;制備方法采用醋酸鋅水溶液加入氨水置于高壓釜中反應(yīng),得到ZNO錐狀納米結(jié)構(gòu)。本發(fā)明具有成本低,生長溫度低,重復(fù)性高等優(yōu)點,且生成的ZNO錐狀納米結(jié)構(gòu)具有納米級的尖端,底部是六角狀結(jié)構(gòu),其獨特的構(gòu)造,使得它可用于高效的場發(fā)射材料,且可用于制作各種精密儀器的探頭;也可結(jié)合目前成熟的半導(dǎo)體硅集成電路工藝,適合于集成納米光電子器件的發(fā)展。
聲明:
“在硅片上復(fù)合ZNO錐狀納米結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)