本本發(fā)明提供一種新型晶體管的制作方法,將具有介電、鐵電、光電、熱電、超導(dǎo)、巨磁阻等性能的
鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物材料交叉耦合,采用全外延工藝,每層的層厚和載流子濃度都較鍺硅晶體管更易控制,結(jié)面更銳,加上鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物材料熔點(diǎn)高,穩(wěn)定性好,鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物晶體管廣泛應(yīng)用于電子器件,尤其是與錳酸鑭相關(guān)的晶體管對磁場很敏感,與鈦酸鋇相關(guān)的晶體管對熱光敏感,因此可制作一些特殊的探測器,也可發(fā)展成為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物集成電路。
聲明:
“新型晶體管的制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)