本發(fā)明公開一種量子點
復合材料、制備方法及半導體器件。方法包括步驟:在預定位置處合成第一種化合物;在第一種化合物的表面合成第二種化合物,所述第一種化合物與所述第二種化合物的合金組分相同或者不同;第一種化合物和第二種化合物體之間發(fā)生陽離子交換反應形成量子點復合材料,所述量子點復合材料的發(fā)光峰波長出現(xiàn)藍移、紅移和不變中的一種或多種。本發(fā)明利用量子點SILAR合成法精確控制量子點逐層生長以及利用量子點一步合成法形成漸變組分過渡殼。通過上述方法所制備的量子點復合材料,不僅實現(xiàn)了更高效的量子點復合材料發(fā)光效率,同時也更能滿足半導體器件及相應顯示技術對量子點復合材料的綜合性能要求。
聲明:
“量子點復合材料、制備方法及半導體器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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