本發(fā)明公開了一種電子封裝高硅鋁基
復合材料,按質(zhì)量百分比計,電子封裝高硅鋁基復合材料的組成為:TiB
2 0.1~5.0%、Si 15~40%、Mg 0.25~0.45%,其余為Al。電子封裝高硅鋁基復合材料中含有TiB
2顆粒,可以有效地改善鋁硅合金的微觀組織,提高鋁硅合金的力學性能;進一步的,采用激光表面處理的方法,可以有效的提高鋁硅合金的表面性能例如耐磨性能和抗疲勞性能。本發(fā)明還公開了一種電子封裝高硅鋁基復合材料的制備方法。
聲明:
“電子封裝高硅鋁基復合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)