本發(fā)明是一種陶瓷基
復(fù)合材料表面打底層的制備方法,利用料漿法結(jié)合碳化硅原位反應(yīng)工藝的組合式方法實現(xiàn)復(fù)合材料表面平整,再配合低壓化學(xué)氣相沉積工藝制備SiC/SiC和C/SiC復(fù)合材料用環(huán)境障涂層的富硅碳化硅打底層。該方法的優(yōu)點是:1)能夠根據(jù)不同表面缺陷的特點調(diào)節(jié)漿料前驅(qū)體中各組分配比以得到合適的粘度,從而達到較好的缺陷填充效果;2)通過高溫裂解工藝實現(xiàn)修復(fù)漿料與復(fù)合材料的一體化反應(yīng);3)采用低壓化學(xué)氣相沉積工藝在復(fù)合材料表面得到富硅的碳化硅打底層,提高了環(huán)境障涂層的質(zhì)量,延長了環(huán)境障涂層的壽命;4)同時由于復(fù)材表面沉積了富硅的碳化硅涂層,既提高了復(fù)合材料的耐溫性和抗高溫氧化性,又增強了環(huán)境障涂層與復(fù)材基體的粘結(jié)強度,還改善了環(huán)境障涂層與復(fù)材基體的熱膨脹匹配。
聲明:
“陶瓷基復(fù)合材料表面打底層的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)