本發(fā)明公開(kāi)了一種原位生長(zhǎng)石墨烯增強(qiáng)C_f/SiC復(fù)合材料及其制備方法，其特征在于，所述的原位生長(zhǎng)石墨烯增強(qiáng)C_f/SiC復(fù)合材料由碳纖維預(yù)制件、PyC界面層、石墨烯、SiC基體組成；PyC界面層厚度為300?500nm，石墨烯層數(shù)為3?5層；通過(guò)等離子體增強(qiáng)CVD法在碳纖維預(yù)制體內(nèi)原位生長(zhǎng)石墨烯，然后通過(guò)CVI工藝對(duì)碳纖維預(yù)制件進(jìn)行增密得到原位生長(zhǎng)石墨烯增強(qiáng)C_f/SiC復(fù)合材料。本發(fā)明有效地解決了石墨烯較難在碳纖維預(yù)制件內(nèi)均勻分散易團(tuán)聚的問(wèn)題，同時(shí)原位生長(zhǎng)的石墨烯可顯著提高C_f/SiC復(fù)合材料的力學(xué)性能。