本發(fā)明涉及一種真空浸漬結(jié)合反應(yīng)熔體浸滲RMI制備C/SiC?Diamond復(fù)合材料的方法，以金剛石作為高熱導(dǎo)相，通過(guò)真空浸漬的方法將配置好的金剛石漿料引入到已經(jīng)用CVI法沉積至半致密的C/SiC多孔預(yù)制體中，最后用RMI法完成對(duì)C/SiC?Diamond復(fù)合材料的致密化工作。該方法可解決C/SiC?Diamond復(fù)合材料制備過(guò)程周期長(zhǎng)、工藝復(fù)雜的問(wèn)題，而且可以有效提高Diamond與SiC的界面結(jié)合強(qiáng)度，從而有效提高復(fù)合材料的熱導(dǎo)率以及力學(xué)性能。