本發(fā)明屬于一種高電導(dǎo)率的聚噻吩
復(fù)合材料及其制備方法。該復(fù)合材料是由可溶性聚(3-丁基)噻吩材料和絕緣聚合物共混構(gòu)成;可溶性聚(3-丁基)噻吩:絕緣聚合物的質(zhì)量配比為4∶1-1∶39;絕緣聚合物為可溶性非共軛聚合物,優(yōu)選聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或熱固型環(huán)氧樹(shù)脂;還提供一種高電導(dǎo)率的聚噻吩的制備方法,通過(guò)聚噻吩在溶液中的預(yù)結(jié)晶形成的晶須來(lái)阻礙溶劑揮發(fā)過(guò)程中的大尺度相分離。該復(fù)合材料中聚噻吩呈現(xiàn)高有序的結(jié)晶態(tài),晶體為納米晶須且均勻分散在絕緣聚合物基質(zhì)中。該復(fù)合材料電導(dǎo)率可達(dá)10-3S/cm量級(jí),其可以應(yīng)用于電磁波屏蔽、防靜電和有機(jī)電子器件等領(lǐng)域。
聲明:
“高電導(dǎo)率的聚噻吩復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)