本發(fā)明公開(kāi)了一種高效屏蔽電磁干擾MXene/金屬離子復(fù)合材料的制備方法，屬于二維材料領(lǐng)域，本發(fā)明所要解決的問(wèn)題是進(jìn)一步提高M(jìn)Xene的屏蔽電磁干擾性能，提供一種體積小，密度低，強(qiáng)度高，厚度薄，柔韌性好而且對(duì)電磁干擾屏蔽能力強(qiáng)的MXene:Ti₃C₂/金屬離子復(fù)合材料的制備方法。本發(fā)明首先采用氫氟酸對(duì)MAX相的Ti₃AlC₂粉進(jìn)行刻蝕，得到手風(fēng)琴狀MXene:Ti₃C₂片；然后利用吸附法在MXene:Ti₃C₂表面修飾均勻的Fe³⁺/Co²⁺/Ni²⁺離子；隨后，采用壓片法，制作得到Ti₃C₂:Fe³⁺/Co²⁺/Ni²⁺復(fù)合材料薄膜。所述Ti₃C₂:Fe³⁺/Co²⁺/Ni²⁺復(fù)合材料薄膜可以用于EMI屏蔽，在15GHz頻率下，三種材料最高可以達(dá)到53.44％的屏蔽效率。