2復(fù)合材料的制備方法及其應(yīng)用,復(fù)合材料"> 2復(fù)合材料的制備方法及其應(yīng)用,本發(fā)明公開了一種具有高光催化活性C?dots/UiO?66?NH2復(fù)合材料的制備方法及其應(yīng)用,通過一鍋油浴法將C?dots與UiO?66?NH2成功制備了復(fù)合材料,并且通過X射線衍射,拉曼光譜,SEM等進(jìn)行表征。此外,通過可見光下降解酮洛芬實(shí)驗(yàn),光照1h,復(fù)合材料降解92%,UiO?66?NH2僅降解了75%。復(fù)合材料的降解速率約為UiO?66?NH2的1.87倍。C?dots與UiO?66?NH2的界面有效地促進(jìn)了電子的轉(zhuǎn)移,降低了電子與空穴的復(fù)合率。增">

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具有高光催化活性C-dots/UiO-66-NH2復(fù)合材料的制備方法及其應(yīng)用

885   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:35:01
本發(fā)明公開了一種具有高光催化活性C?dots/UiO?66?NH2復(fù)合材料的制備方法及其應(yīng)用,通過一鍋油浴法將C?dots與UiO?66?NH2成功制備了復(fù)合材料,并且通過X射線衍射,拉曼光譜,SEM等進(jìn)行表征。此外,通過可見光下降解酮洛芬實(shí)驗(yàn),光照1h,復(fù)合材料降解92%,UiO?66?NH2僅降解了75%。復(fù)合材料的降解速率約為UiO?66?NH2的1.87倍。C?dots與UiO?66?NH2的界面有效地促進(jìn)了電子的轉(zhuǎn)移,降低了電子與空穴的復(fù)合率。增強(qiáng)了可見光吸收,降低了產(chǎn)生激發(fā)電子所需的能量,促進(jìn)了光生電子與空穴的產(chǎn)生,增強(qiáng)了光催化活性,可以更好地應(yīng)用于有機(jī)污染物的光催化處理。
聲明:
“具有高光催化活性C-dots/UiO-66-NH2復(fù)合材料的制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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