本發(fā)明公開了一種具有夾層結(jié)構(gòu)的高導(dǎo)熱、低膨脹Diamond?Cu復(fù)合材料的制備方法，屬于電子封裝材料技術(shù)領(lǐng)域。該復(fù)合材料由體積分?jǐn)?shù)為35～50％的銅合金、體積分?jǐn)?shù)為50～65％的經(jīng)過改性的金剛石顆粒組成。制備過程為：1)采用真空蒸鍍對(duì)金剛石表面進(jìn)行表面鍍Cr處理；2)將熔煉的銅合金進(jìn)行霧化制粉；3)按照設(shè)計(jì)的體積百分比，將鍍Cr金剛石粉末和銅合金充分混合；4)配料并裝入模具，在復(fù)合材料的上下表面提前預(yù)置銅合金粉末；5)熱壓燒結(jié)。本發(fā)明首先采用金剛石表面鍍膜工藝對(duì)金剛石進(jìn)行改性，提高與銅基體的潤濕性；同時(shí)采用夾層結(jié)構(gòu)制備了Diamond?Cu復(fù)合材料，致密度高、組織均勻，后續(xù)加工簡單，表面粗糙度可達(dá)<1um Ra，為后續(xù)工藝的制定和難點(diǎn)突破提供參考。