本發(fā)明公開了一種鋁基碳化硅復(fù)合材料及其制備方法，采用高溫碳熱還原法去除碳化硅原料表層的SiO2氧化層，并通過真空環(huán)境下的高溫退火工藝讓SiC原料表層的Si原子逃逸出SiC原料表層，使得剩余的碳原子重新組合形成少層石墨烯，通過高溫退火溫度和時間工藝調(diào)控石墨烯層數(shù)，石墨烯能夠阻止氧原子與內(nèi)層碳化硅接觸，防止高脆性、低熱導(dǎo)率的SiO2氧化層形成，進(jìn)而顯著提高鋁基碳化硅復(fù)合材料中碳化硅與鋁合金的界面接觸性能，獲得綜合物理性能優(yōu)異的鋁基碳化硅復(fù)合材料。本發(fā)明方法能夠制備碳化硅體積百分比在30～70％范圍內(nèi)連續(xù)變化的鋁基碳化硅復(fù)合材料，實(shí)現(xiàn)鋁基碳化硅復(fù)合材料的密度、熱導(dǎo)率和力學(xué)性能在較大范圍內(nèi)連續(xù)變化，適應(yīng)多種應(yīng)用需求。