一種
石墨烯納米帶垂直陣列-碳化鉬納米晶體
復(fù)合材料、制備及其應(yīng)用,屬于碳化鉬碳
納米材料技術(shù)領(lǐng)域。硅片上垂直生長石墨烯納米帶陣列,石墨烯納米帶陣列的頂端為六方相的碳化鉬納米晶體。先在硅片上垂直生長納米管陣列,然后在制成垂直的石墨烯納米帶陣列,在石墨烯納米帶陣列的頂端蒸鍍Mo,然后再生成碳化鉬納米晶體。石墨烯納米帶垂直陣列-碳化鉬納米晶體復(fù)合材料去掉底層硅片后在析氫催化和氧還原催化中的應(yīng)用。
聲明:
“石墨烯納米帶垂直陣列-碳化鉬納米晶體復(fù)合材料、制備及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)