一種碳纖維增強的氮化硅-碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的增密方法。首先通過CVI或是PIP來制備C/SiC陶瓷基復(fù)合材料。對C/SiC陶瓷基復(fù)合材料進(jìn)行CVI碳化硅，由于纖維束間交叉空隙大，將CVI時間延長時間為20～30小時。當(dāng)CVI碳化硅增密到80～90％時，在C/SiC表面涂刷硅粉，尤其是在大孔處填充。烘干后進(jìn)行氮化處理。氮化完成以后，再通過CVD給CMC表面制備SiC涂層，CVD時間為20～30小時，便完成了碳纖維增強氮化硅-碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的增密。這種增密方法不僅提高了CMC制備的效率，還減小了基體的熱膨脹系數(shù)，提高了CMC的抗熱震性能。