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ReS2超薄納米片負(fù)載的Ta3N5空心納米球復(fù)合材料及其應(yīng)用

1076   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:46:03
本發(fā)明屬于光催化技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種ReS2超薄納米片負(fù)載的Ta3N5空心納米球復(fù)合材料及其應(yīng)用。所述的ReS2超薄納米片的厚度0.1nm?20nm,負(fù)載量為0.2?5wt%。所述復(fù)合材料由具有空心納米球結(jié)構(gòu)的Ta3N5和ReS2超薄納米片分散液經(jīng)混合、研磨、蒸發(fā)溶劑制得。本發(fā)明ReS2超薄納米片負(fù)載到空心納米球結(jié)構(gòu)的Ta3N5表面,增大了催化劑表面積,增加了復(fù)合材料光催化劑表面的活性位點(diǎn),可以加快表面化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)速率,并提光催化劑性能。同時(shí)在兩相界面處構(gòu)建了異質(zhì)結(jié),加快了載流子的傳輸速度,抑制了電子和空穴的復(fù)合情況,有助于提升其光催化性能。
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“ReS2超薄納米片負(fù)載的Ta3N5空心納米球復(fù)合材料及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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