本發(fā)明屬于碳材料制備技術(shù)領(lǐng)域,一種基于非共價鍵作用構(gòu)筑g?C3N4量子點(diǎn)/碳
復(fù)合材料的方法及其應(yīng)用,其中構(gòu)筑方法,包括以下步驟:利用高溫?zé)峋酆戏ǎ愿坏牧蠟榍膀?qū)體制備g?C3N4;對上述g?C3N4利用低溫預(yù)處理結(jié)合液相剝離工藝制備g?C3N4量子點(diǎn);采用機(jī)械攪拌結(jié)合高速離心工藝,使具有含氮活性基團(tuán)的g?C3N4量子點(diǎn)與導(dǎo)電性良好的碳材料通過非共價鍵π?π堆積相互作用得到g?C3N4量子點(diǎn)/碳復(fù)合材料。該方法具有制備工藝簡單、條件溫和、低能耗、高效、低成本等特點(diǎn)。本發(fā)明構(gòu)筑的g?C3N4量子點(diǎn)/碳復(fù)合材料相比于市購Pt電極表現(xiàn)出了更高的I3?催化活性能,是一種在染料敏化
太陽能電池中具有廣泛應(yīng)用前景的材料。
聲明:
“基于非共價鍵作用構(gòu)筑g-C3N4量子點(diǎn)/碳復(fù)合材料的方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)