本發(fā)明提供一種納米二氧化硅-納米氮化硅
復(fù)合材料,包括多個由納米二氧化硅包覆在納米氮化硅表面形成的微粒,其中,所述納米氮化硅與納米二氧化硅的質(zhì)量比為1:1~10:1。納米氮化硅與納米二氧化硅按質(zhì)量比1∶1~10:1進行復(fù)合,使得該復(fù)合材料的穩(wěn)定性好,介電常數(shù)較低,能夠廣泛應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路電子封裝等領(lǐng)域。本發(fā)明還提供一種納米二氧化硅-納米氮化硅復(fù)合材料的制備方法。
聲明:
“納米二氧化硅-納米氮化硅復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)