本發(fā)明公開了一種氮化鉬/氮化鈦納米管陣列復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用，所述材料包括氮化鉬納米膜、氮化鈦納米管陣列和氮化鈦納米膜；所述氮化鉬納米膜作為表面層，氮化鈦納米管陣列作為中間層，氮化鈦納米膜作為基底層，氮化鉬納米膜完全覆蓋在氮化鈦納米管陣列的表面，氮化鈦納米管陣列垂直生長(zhǎng)在氮化鈦納米膜的表面，形成一體化結(jié)構(gòu)的氮化鉬/氮化鈦納米管陣列復(fù)合材料；所述氮化鉬納米膜具有微孔膜結(jié)構(gòu)，氮化鈦納米管陣列具有管壁相連的長(zhǎng)納米管或者管壁獨(dú)立的短納米管結(jié)構(gòu)，氮化鈦納米膜具有凹坑膜結(jié)構(gòu)。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所述材料導(dǎo)電性強(qiáng)，同時(shí)，所得材料具有較高的能量密度和功率密度，且充放電循環(huán)穩(wěn)定性好。