本發(fā)明提供一種基于TeO2/并五苯
復(fù)合材料的具有寬頻特性的MOS器件,包括源極、柵極和漏極;該MOS器件的結(jié)構(gòu)上從下到上依次為,玻璃作為襯底和ITO作為柵極,PVA與PMMA雙層材料結(jié)構(gòu)作為絕緣層,TeO2/并五苯復(fù)合材料作為有源激活層;源極和漏極采用金作為電極,所述源極和漏極為叉指狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明是利用電場來控制固體材料導(dǎo)電性能的有源MOS器件。該器件表現(xiàn)出明顯的寬頻特性,即在幅頻特性上頻帶較寬。使得該發(fā)明成為在傳感器,高頻電子線路,大規(guī)模集成電路和有源主動顯示領(lǐng)域有著很好的應(yīng)用前景。
聲明:
“基于TeO2/并五苯復(fù)合材料的具有寬頻特性的MOS器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)