本發(fā)明公開(kāi)了一種用于光電催化產(chǎn)氫的薄膜
復(fù)合材料的制備方法,首先通過(guò)熱蒸氣液聚法制備g?C
3N
4薄膜;然后采用水浴法將Sb
2S
3納米球負(fù)載到g?C
3N
4薄膜上;最后通過(guò)光
電化學(xué)沉積法將Co?Pi納米顆粒沉積到g?C
3N
4/Sb
2S
3上最終得到g?C
3N
4/Sb
2S
3/Co?Pi薄膜復(fù)合材料。本發(fā)明提升了g?C
3N
4的可見(jiàn)光吸收,促進(jìn)了光生電子?空穴對(duì)的分離;制備方法簡(jiǎn)單易操作,整體成本低廉。
聲明:
“用于光電催化產(chǎn)氫的薄膜復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)