本發(fā)明涉及與超導量子干涉器(SQUID)配用的 高Tc超導厚膜磁通變換器,主要包括:襯底、高Tc 超導厚膜螺旋線圈,厚膜回線和中間絕緣層,所用超 導材料是Y系或Bi系氧化物,襯底用ZrO, Al2O2,SiTi3O或MgO材料,中間絕緣層采用 Y2BaCuO,BaCuO,ZrO,Al2O3,SrTi3O,PrBa2Cu3O或 MgO材料,螺線與回線之間可以通過不同方式構成 閉合回路,所述的變換器與SQUID配用可提高磁場 測量靈敏度,適用于醫(yī)學工程以及計量、地質、生物等 技術領域。
聲明:
“高臨界溫度超導厚膜磁通變換器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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