本發(fā)明涉及一種
負(fù)極材料、
復(fù)合材料及其制備方法。該負(fù)極材料包括多孔的SiO
x基體、
碳納米管和碳層,碳納米管原位生長于SiO
x基體的表面上和SiO
x基體的孔壁上,碳層包覆在SiO
x基體和碳納米管上,其中,x為0.1~2。上述負(fù)極材料采用多孔的SiO
x基體,SiO
x基體的多孔結(jié)構(gòu)能夠使負(fù)極材料具有較低的體積膨脹;碳納米管原位生長于SiO
x基體的表面上和SiO
x基體的孔壁上,能夠改善SiO
x基體的電子電導(dǎo),而使負(fù)極材料的導(dǎo)電性更好;同時(shí),碳納米管與SiO
x基體的結(jié)合性更好,而使負(fù)極材料的壓實(shí)密度較大。因此,上述負(fù)極材料具有導(dǎo)電性較好、體積膨脹較低且壓實(shí)密度較大的特點(diǎn)。
聲明:
“負(fù)極材料、復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)