本申請?zhí)峁┝送繉硬考捌湫纬煞椒āM繉硬考砂ň哂袊@陶瓷核心的Si?處理層的陶瓷基質(zhì)和在陶瓷基質(zhì)的Si?處理層上的環(huán)境屏障涂層。陶瓷核心可包括碳化硅,并且Si?處理層可經(jīng)預(yù)處理以使其表面性質(zhì)適合于在Si?處理層暴露于氧時,抑制或延緩碳氧化物的形成。
聲明:
“高溫陶瓷復(fù)合材料的預(yù)處理” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)