本發(fā)明公開(kāi)了一種耐高溫低熱膨脹系數(shù)的鋁基/PMOS基復(fù)合層狀材料的制備方法，包括以下步驟：首先制得PMOS/莫來(lái)石/Si3N4雜化材料，然后通過(guò)在Al?Cu?Mg?Si合金中加入Fe、Ni或Ag、Si3N4，制得鋁基復(fù)合材料，最后將制得的PMOS/莫來(lái)石/Si3N4雜化材料、鋁基復(fù)合材料、PMOS/莫來(lái)石/Si3N4雜化材料復(fù)合制得層狀材料，層與層之間采用粘合層材料粘結(jié)而成，制得的層狀材料在200?400℃熱處理，制得鋁基/PMOS基復(fù)合層狀材料。該發(fā)明制得的復(fù)合層狀材料力學(xué)性能好，強(qiáng)度大，耐高溫性能優(yōu)異，熱膨脹系數(shù)低。