本發(fā)明公開了一種基于InAsN-GaAsSb材料的交錯型異質(zhì)結(jié)隧穿場效應(yīng)晶體管，主要解決現(xiàn)有III-V族材料制備場效應(yīng)晶體管開態(tài)電流較低的問題。其包括襯底(1)、源極(2)、溝道(3)、漏極(4)、絕緣介電質(zhì)薄膜(5)及柵電極(6)。源極采用N組分為(0,0.05]的InAsN復(fù)合材料；溝道和漏極均采用Sb組分為[0.35,0.65]的GaAsSb復(fù)合材料；在襯底上，源極、溝道、漏極形成自下而上豎直分布。本發(fā)明通過源極InAsN與溝道GaAsSb兩種材料相互接觸，形成交錯型異質(zhì)隧穿結(jié)，進(jìn)而有效降了低隧穿勢壘高度，增大隧穿幾率和隧穿電流，提了器件的整體性能，可用于制作大規(guī)模集成電路。