本發(fā)明公開(kāi)了基于納米碳化硅提高環(huán)氧樹(shù)脂導(dǎo)熱率的方法。采用納米級(jí)碳化硅粉體比微米級(jí)粉體填料不僅接觸更加充份，形成接觸導(dǎo)熱鏈，且更容易與高分子鏈接枝，形成Si-O-Si鏈導(dǎo)熱骨架做為主要導(dǎo)熱通路，納米碳化硅粉體體積比為13.8%(折合成質(zhì)量比不到30%）就大幅度提高環(huán)氧樹(shù)脂導(dǎo)熱率到4.1瓦/米·開(kāi)。本發(fā)明大幅度提高復(fù)合材料的導(dǎo)熱率，同時(shí)不降低復(fù)合材料的機(jī)械性能，SiC經(jīng)表面改性后可有效提高復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能和力學(xué)性能，并且改性SiC的加入可有效降低EP的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。