一種相變材料的制備方法,包括:提供半導(dǎo)體襯底,在所述半導(dǎo)體襯底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料層,其中0.1≤x≤0.9;在所述Si-SbxTe1-x
復(fù)合材料的結(jié)晶溫度之上,對(duì)所述Si-SbxTe1-x執(zhí)行第一次退火工藝,使得其中的非晶Si和SbxTe1-x晶體形成分相;將退火后分相的非晶Si與SbxTe1-x的復(fù)合材料置于氫氣氛中執(zhí)行第二次退火工藝,使其中的非晶Si轉(zhuǎn)變?yōu)槲⒕i以形成微晶Si-SbxTe1-x復(fù)合相變材料;對(duì)所述微晶Si-SbxTe1-x復(fù)合相變材料執(zhí)行加熱退火脫氫工藝。相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明制備的是微晶Si-SbxTe1-x復(fù)合相變材料,微晶態(tài)的Si晶粒尺寸在3納米至20納米左右,缺陷比非晶態(tài)Si少,能有效抑制氧化,阻礙Si與SbxTe1-x的相互擴(kuò)散,具有更穩(wěn)定的特性。
聲明:
“相變材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)