本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體級硅的晶錠的方法,所述半導(dǎo)體級硅包含太陽能級硅,還涉及用于所述方法中的可再使用的坩堝和制造所述可再使用的坩堝的方法,其中所述方法的特征在于,在由
碳纖維增強的碳化硅
復(fù)合材料制成的可再使用坩堝中制造所述硅晶錠,其中所述復(fù)合材料在高于400℃的溫度下具有小于4×10-6K-1且在低于400℃的溫度下具有小于3×10-6K-1的熱膨脹系數(shù),并在25℃至1500℃的溫度下具有至少5W/mK的熱導(dǎo)率。
聲明:
“制造半導(dǎo)體級硅晶錠的方法、可再使用的坩堝及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)