本發(fā)明涉及一種低逾滲
石墨烯/高分子電磁屏蔽材料的制備方法,
復(fù)合材料主要原料按以下重量百分比構(gòu)成:超高分子量聚乙烯UHMWPE94~99.7%,氧化石墨烯GONS0.3~6%。其制備工藝如下:(1)原料干燥;(2)GONS/UHMWPE導(dǎo)電粒子制備;(3)高溫壓制成型。本發(fā)明利用材料熱壓制備過程中的高溫原位還原氧化石墨烯,避免了氧化石墨烯在化學(xué)還原過程中的團(tuán)聚。使復(fù)合材料擁有更低的導(dǎo)電逾滲值,更高的電導(dǎo)率和電磁屏蔽性能,且制備過程簡單,工藝易于掌握,生產(chǎn)成本低,容易實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。
聲明:
“低逾滲石墨烯/高分子電磁屏蔽材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)