本發(fā)明公開了一種高致密度高純度硅碳
負(fù)極材料的制備方法,涉及
復(fù)合材料制備技術(shù)領(lǐng)域,負(fù)極材料包括均勻致密分布的硅、碳,所述材料密度滿足ρ1/ρ2≥95%,其中ρ1為實際測試密度,ρ2為理論密度。制備方法將碳素原料和硅原料進(jìn)行物理氣相沉積,冷卻后得到高致密度高純度
硅碳負(fù)極材料,物理沉積可采用同步或交替沉積的方式進(jìn)行,利用無定形碳和氣相硅源,形成均勻致密的復(fù)合材料結(jié)構(gòu),該材料由亞納米級硅均勻地分布在無定型碳中,這種致密結(jié)構(gòu)能提高材料的振實,且能有效緩解充放電過程中的體積效應(yīng)。同時硅顆粒為亞納米級,其自身膨脹相對納米硅較小,能進(jìn)一步提高其循環(huán)性能。
聲明:
“高致密度高純度硅碳負(fù)極材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)