3納米片與PI復(fù)合的高溫電介質(zhì)儲能材料及制備方法,復(fù)合材料"> 3納米片與PI復(fù)合的高溫電介質(zhì)儲能材料及制備方法,本發(fā)明公開了一種PbTiO3納米片與PI復(fù)合的高溫電介質(zhì)儲能材料及制備方法,屬于介電儲能領(lǐng)域,其包括在FTO導(dǎo)電的一面上生長出PbTiO3納米片陣列,PI作為介質(zhì)材料與生長有PbTiO3納米片陣列的FTO復(fù)合;高溫介電儲能材料在混動汽車等等領(lǐng)域有很大的應(yīng)用價(jià)值,而目前其開發(fā)技術(shù)相對落后,受限于材料的耐高溫性能和儲能密度。本發(fā)明通過水熱合成PbTiO3納米片陣列,再通過原位聚合,制備得到PI/PbTiO3的復(fù)合材料。復(fù)合不僅有高溫工作能力,還具有高的儲能性能">

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PbTiO3納米片與PI復(fù)合的高溫電介質(zhì)儲能材料及制備方法

1012   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:05:12
本發(fā)明公開了一種PbTiO3納米片與PI復(fù)合的高溫電介質(zhì)儲能材料及制備方法,屬于介電儲能領(lǐng)域,其包括在FTO導(dǎo)電的一面上生長出PbTiO3納米片陣列,PI作為介質(zhì)材料與生長有PbTiO3納米片陣列的FTO復(fù)合;高溫介電儲能材料在混動汽車等等領(lǐng)域有很大的應(yīng)用價(jià)值,而目前其開發(fā)技術(shù)相對落后,受限于材料的耐高溫性能和儲能密度。本發(fā)明通過水熱合成PbTiO3納米片陣列,再通過原位聚合,制備得到PI/PbTiO3復(fù)合材料。復(fù)合不僅有高溫工作能力,還具有高的儲能性能,此外,本發(fā)明還具有工藝簡單、材料成本低廉的優(yōu)點(diǎn)。
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“PbTiO3納米片與PI復(fù)合的高溫電介質(zhì)儲能材料及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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