本發(fā)明涉及一種采用含氧前驅體化學氣相沉積制備
稀土硅酸鹽陶瓷的方法,采用稀土氧化物作為反應物,以CH
3SiCl
3作為先驅體、CO
2作為氧源,氫氣作為載氣和稀釋氣體、氬氣作為保護氣體,經過化學氣相沉積,得到稀土硅酸鹽陶瓷。可用于制備稀土硅酸鹽
陶瓷粉體,也可以用于制備稀土硅酸鹽陶瓷涂層,以及稀土硅酸鹽陶瓷改性結構陶瓷及陶瓷基
復合材料。本發(fā)明稀土硅酸鹽陶瓷的制備溫度低,解決了稀土硅酸鹽陶瓷制備溫度過高的問題,制備過程操作簡單,可重復性強,不會對材料形狀造成影響,可工業(yè)化生產,為化學氣相沉積制備稀土硅酸鹽陶瓷以及稀土硅酸鹽改性陶瓷基復合材料提供了新方法。
聲明:
“采用含氧前驅體化學氣相沉積制備稀土硅酸鹽陶瓷的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)