本發(fā)明公開了一種MoS2/CdS薄膜電極的制備方法和應(yīng)用。所述制備方法包括以下步驟:采用恒壓電流的方法制得硫化鎘薄膜;然后在惰性氣體保護條件下將制備的硫化鎘薄膜于400℃~500℃煅燒30~60分鐘,使其晶化成CdS薄膜電極;采用恒壓電流的方法制得MoS2/CdS
復(fù)合材料薄膜;然后在惰性氣體保護條件下將制備的復(fù)合材料薄膜于500℃~550℃煅燒50?70分鐘,使其晶化成MoS2/CdS納米薄膜電極。本發(fā)明的電極將MoS2電沉積到CdS薄膜電極上,納米MoS2均勻分布在CdS薄膜表層,增強了CdS的電子傳導(dǎo)能力,拓寬其在可見光區(qū)的吸收范圍,提高其光電轉(zhuǎn)換效率。
聲明:
“MoS2/CdS薄膜電極的制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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