本發(fā)明公開了一種可直接用于
電化學(xué)沉積的有序多孔
氧化鋁模板及制備方法,其阻擋層厚度為100-300nm,未被氧化的鋁基體可直接作為電化學(xué)沉積電極,無須再進(jìn)行去阻擋層和鍍電極過程。其制備方法,包括:將鋁箔進(jìn)行退火以消除剪切鋁箔過程所產(chǎn)生的應(yīng)力;清洗退火后的鋁箔去除其表面的污漬;去除鋁箔上的自然氧化層;將鋁箔電解拋光;將拋光后的鋁箔進(jìn)行一次陽極氧化;將一次氧化后的鋁箔去除一次氧化膜;將去除一次氧化膜后的鋁箔進(jìn)行二次陽極氧化。本發(fā)明方法的模板制備成功率高,不易損壞;不僅簡(jiǎn)化了納米線/有序多孔氧化鋁
復(fù)合材料的制備流程,還有利于該復(fù)合材料的性能研究。
聲明:
“可直接用于電化學(xué)沉積的有序多孔氧化鋁模板及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)