本發(fā)明公開(kāi)了一種屬于封裝材料領(lǐng)域的具有抗輻射加固功能的高導(dǎo)熱電子封裝材料。所述封裝材料是一種Al?W?Si三元體系的復(fù)合材料，其中W的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20～40％，Si的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10～60％，其余為Al，該材料的密度為2.9～4.01g/cm3，熱導(dǎo)率為130～200W/(m×K)，熱膨脹系數(shù)為8～19×10?6/K，厚度為2mm的該材料對(duì)40KeV能量的X射線屏蔽效能超過(guò)75％，對(duì)60KeV能量的X射線屏蔽效能超過(guò)40％。本發(fā)明制備的封裝材料具有低比重、高熱導(dǎo)率、低膨脹系數(shù)的特性，同時(shí)兼具抗輻射加固性能，可以滿足某些特殊應(yīng)用環(huán)境下對(duì)器件小型化、輕量化和多功能集成的要求。