3SiC2界面相的制備方法,復合材料"> 3SiC2界面相的制備方法,本發(fā)明涉及一種利用SiC納米晶粒在SiC纖維表面原位合成Ti3SiC2界面相的制備方法,先利用化學氣相沉積法在SiC纖維表面制備一定厚度的熱解碳以改變SiC纖維表面的化學組成;然后將其掩埋于含有Si和Ti元素的熔鹽體系中;之后對其進行熱處理,利用SiC纖維內部的SiC納米晶粒與纖維表面的PyC以及熔鹽環(huán)境中的Si和Ti反應合成出Ti3SiC2界面相。本發(fā)明首創(chuàng)采用CVD結合熔鹽法,利用SiC納米晶粒在SiC纖維表面通過原位合成的方式制備Ti3SiC2界面相">

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利用SiC納米晶粒在SiC纖維表面原位合成Ti3SiC2界面相的制備方法

728   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-18 17:12:19
本發(fā)明涉及一種利用SiC納米晶粒在SiC纖維表面原位合成Ti3SiC2界面相的制備方法,先利用化學氣相沉積法在SiC纖維表面制備一定厚度的熱解碳以改變SiC纖維表面的化學組成;然后將其掩埋于含有Si和Ti元素的熔鹽體系中;之后對其進行熱處理,利用SiC纖維內部的SiC納米晶粒與纖維表面的PyC以及熔鹽環(huán)境中的Si和Ti反應合成出Ti3SiC2界面相。本發(fā)明首創(chuàng)采用CVD結合熔鹽法,利用SiC納米晶粒在SiC纖維表面通過原位合成的方式制備Ti3SiC2界面相,所得界面相與SiC纖維和后續(xù)基體可以實現(xiàn)較強的結合能力,而且該Ti3SiC2界面相具有與SiC纖維增強陶瓷基復合材料常用PyC和氮化硼界面相不同的增韌機制,相比之下其還具備更好的抗氧化性。
聲明:
“利用SiC納米晶粒在SiC纖維表面原位合成Ti3SiC2界面相的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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