本申請公開了一種QD顯示結(jié)構(gòu)和顯示裝置，包括相對設(shè)置的第一基板和第二基板，第一基板靠近第二基板的一側(cè)設(shè)有彩膜層，彩膜層靠近第二基板的一側(cè)形成有量子點層；第二基板靠近第一基板的一側(cè)設(shè)有藍(lán)色EL層，藍(lán)色EL層上設(shè)有陰極層，陰極層上還設(shè)有TFE膜層，TFE膜層上設(shè)有多個微結(jié)構(gòu)，每個微結(jié)構(gòu)上生長有復(fù)合材料；復(fù)合材料為負(fù)介電常數(shù)性能。根據(jù)本申請實施例提供的技術(shù)方案，通過提供負(fù)介電常數(shù)的材料，可以是負(fù)介電常數(shù)的陰極層或者設(shè)置一個微結(jié)構(gòu)，其上生長負(fù)介電常數(shù)性能的材料，該材料具有小角度光穿過，大角度光反射的特性，對被QD層散射的下半球的紅綠光進(jìn)行二次出射，同時，被散射的藍(lán)光進(jìn)行二次吸收，提高QD轉(zhuǎn)換效率。