本發(fā)明屬于材料核工業(yè)用材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片抗輻照封裝材料及抗輻照封裝工藝，所述芯片抗輻照封裝材料為在塑封料中摻雜寬禁帶半導(dǎo)體顆粒，寬禁帶半導(dǎo)體顆粒的重量占比在10％?75％之間。所述芯片抗輻照封裝工藝為首先在銅基板背面生長(zhǎng)一層抗輻照層，在銅基板正面焊接芯片，同時(shí)將芯片和銅基板的引腳鍵合；然后稱(chēng)量塑封料和摻雜顆粒，將塑封料和摻雜顆粒置入預(yù)設(shè)好攪拌溫度的模具中進(jìn)行攪拌均勻，待攪拌時(shí)間結(jié)束后，得到塑封料復(fù)合材料；最后將攪拌均勻后的塑封料復(fù)合材料進(jìn)行注塑壓封，并將塑封后的芯片進(jìn)行引腳電鍍和去除毛刺與飛邊。本發(fā)明提升了芯片整體的抗輻照性能和在太空環(huán)境下的可靠性，同時(shí)提升了芯片器件背部的抗輻照能力。