本發(fā)明提供一種基于EB-PVD與Sol-Gel的全固態(tài)參比電極制備方法,采用滿足大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)的EB-PVD技術(shù),在Ti基體上沉積Mo/Ta二元合金薄膜,對(duì)制備態(tài)薄膜在控制O2氣氛下進(jìn)行后氧化處理,形成混合金屬氧化物層,使得二元合金膜層具備參比電極功能;以丙烯酰胺及丙烯酸為載體,制備維持電極電位穩(wěn)定的Sol-Gel復(fù)合材料導(dǎo)電功能層;集成所制備的參比電極功能層及導(dǎo)電層,構(gòu)建具有五層結(jié)構(gòu)的全固態(tài)參比電極。本發(fā)明EB-PVD的沉積速率較快,能夠在10min～30min內(nèi)沉積數(shù)百微米的功能層薄膜,大大降低了制備時(shí)間。制備態(tài)的薄膜采用后氧化工藝處理,使得薄膜出現(xiàn)從未氧化到完全氧化的梯度狀態(tài),確保電化學(xué)性能的有效性。