提供一種等離子體蝕刻方法，其在半導(dǎo)體制造工藝中，可以對(duì)掩模材料選擇性地加工由SiO₂、SiN之類的單獨(dú)的材料、或SiO₂、SiN的復(fù)合材料形成的膜，而且加工時(shí)得到良好的垂直加工形狀。將包含通式(1)：Rf₁?S?Rf₂(1)(式中，Rf₁為CxHyFz所示的一價(jià)的有機(jī)基團(tuán)，Rf₂為CaHbFc所示的一價(jià)的有機(jī)基團(tuán))式(1)所示的具有硫醚骨架的氣體化合物的混合氣體、或?qū)为?dú)進(jìn)行等離子體化，對(duì)由SiO₂、SiN之類的單獨(dú)的材料、或復(fù)合材料形成的膜進(jìn)行蝕刻，從而與使用通常的氫氟碳?xì)怏w的情況相比，氟原子的含量少，而且包含硫原子的保護(hù)膜沉積，從而可以實(shí)現(xiàn)改善與掩模材料、其它非蝕刻對(duì)象材料的選擇性、降低對(duì)側(cè)壁的損傷、抑制向橫向的蝕刻等。