一種高介電常數(shù)聚酰亞胺/三維石墨烯復(fù)合薄膜的制備方法，它涉及一種復(fù)合薄膜的制備方法。本發(fā)明的目的是要解決現(xiàn)有石墨烯片層間存在強(qiáng)烈的π?π相互作用，使得片層間有很強(qiáng)的聚集趨勢，難以實(shí)現(xiàn)石墨烯在聚合物復(fù)合材料中的增強(qiáng)效果，導(dǎo)致石墨烯基聚合物的電學(xué)和機(jī)械性能差的問題。方法：一、制備三維石墨烯；二、復(fù)合，得到高介電常數(shù)聚酰亞胺/三維石墨烯復(fù)合薄膜。本發(fā)明中三維石墨烯同聚酰亞胺基體可緊密連接，與聚酰亞胺基體共同作用形成許多“微電容器”，更有利于發(fā)揮石墨烯的電學(xué)性能優(yōu)勢提高薄膜的介電性能。本發(fā)明可獲得一種高介電常數(shù)聚酰亞胺/三維石墨烯復(fù)合薄膜。