本發(fā)明涉及一種通過修飾前驅(qū)體來調(diào)控碳化硅熱導(dǎo)率的方法,基于前驅(qū)體具備分子水平上可設(shè)計性的特點,利用分段加熱聚合,完成相分離。結(jié)合浸漬裂解工藝獲得纖維增強的SiC
復(fù)合材料或通過裂解、用傳統(tǒng)陶瓷制備工藝獲得SiC制品。制備的材料在顯微結(jié)構(gòu)上具備較大差異的晶粒尺寸、相分布模式及界面特性,從而使得SiC材料的熱導(dǎo)率在大范圍內(nèi)變動。在特定工藝條件下,SiC材料高溫下仍具備較高的熱導(dǎo)率。
聲明:
“通過修飾前驅(qū)體來調(diào)控碳化硅熱導(dǎo)率的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)