本發(fā)明屬于真空微電子和顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種場發(fā)射用
石墨烯/氧化鋅/石墨烯三明治結(jié)構(gòu)的復(fù)合陰極材料的制備方法,包括以下步驟:S10,以氧化石墨烯粉末為原料,在單晶硅襯底上利用靜電噴霧沉積技術(shù)沉積一層石墨烯薄膜;S20,在石墨烯薄膜表面利用頻射磁控濺射技術(shù)濺射一層ZnO薄膜作為籽晶,以鋅鹽和六亞甲基四胺為原料,水熱生長ZnO納米針陣列,得到硅襯底上石墨烯/ZnO納米針陣列
復(fù)合材料;S30,利用靜電噴霧沉積技術(shù)在ZnO表面沉積一層石墨烯,制得具有三明治結(jié)構(gòu)的石墨烯/氧化鋅/石墨烯復(fù)合陰極材料。本發(fā)明的制備工藝可操作性強(qiáng),設(shè)備要求不高,成本較低,可進(jìn)行大面積快速制備,有望與大規(guī)模生產(chǎn)工藝兼容,得到的場發(fā)射用石墨烯/氧化鋅/石墨烯三明治結(jié)構(gòu)的復(fù)合陰極材料場發(fā)射開啟場強(qiáng)較低且發(fā)射性能穩(wěn)定。
聲明:
“場發(fā)射用石墨烯/氧化鋅/石墨烯三明治結(jié)構(gòu)的復(fù)合陰極材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)