一種基于
鈣鈦礦單晶的X射線探測(cè)器及其制備方法,屬于光電探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。所述X射線探測(cè)器由鈣鈦礦單晶以及位于鈣鈦礦單晶兩側(cè)的Au和Ga電極組成。本發(fā)明通過(guò)改進(jìn)的緩慢升溫方法生長(zhǎng)得到FAPbBr
3鈣鈦礦單晶,其是在鈣鈦礦單晶生長(zhǎng)液中先制備籽晶晶粒,之后挑選形狀規(guī)則的籽晶轉(zhuǎn)移至新配置的溶液中進(jìn)行繼續(xù)生長(zhǎng),直至合適大小,完成單晶制備。接著通過(guò)蒸鍍和黏結(jié)的方式制作Au和Ga電極,完成鈣鈦礦單晶X射線探測(cè)器的制備。本發(fā)明可以制備出結(jié)晶性好、形貌規(guī)整FAPbBr
3鈣鈦礦單晶,具有更高的載流子遷移率、更長(zhǎng)的載流子壽命和更好的穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì),因而得到的X射線探測(cè)器可以實(shí)現(xiàn)電荷傳輸性能優(yōu)異、響應(yīng)速度快、較低的暗電流和噪聲,以及極好的穩(wěn)定性。
聲明:
“基于鈣鈦礦單晶的X射線探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)