本發(fā)明涉及一種石墨烯-氮化硼異質(zhì)相復(fù)合薄膜材料的制備方法。目前石墨烯和氮化硼原子層薄膜的均可通過(guò)化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)，石墨烯氮化硼異質(zhì)相薄膜通過(guò)分步石墨烯和氮化硼然后轉(zhuǎn)移至基底表面實(shí)現(xiàn)復(fù)合薄膜的制備，這種方法往往造成石墨烯與氮化硼界面的污染，影響復(fù)合薄膜的電學(xué)性能。在石墨烯表面生長(zhǎng)氮化硼往往獲得同一原子層面內(nèi)的氮化硼與石墨烯復(fù)合材料。本方法采用分步合成方法，首先合成氮化硼，然后在氮化硼與金屬催化劑界面層處生長(zhǎng)石墨烯，獲得石墨烯氮化硼異質(zhì)相薄膜材料。該方法制備的石墨烯與氮化硼界面處清潔無(wú)污染，對(duì)于提高復(fù)合的電學(xué)性能是有益的。