本發(fā)明公開(kāi)了一種抑制
鈣鈦礦探測(cè)器暗電流的方法,該方法是通過(guò)向鈣鈦礦材料中摻雜痕量的高價(jià)陽(yáng)離子,該高價(jià)陽(yáng)離子的價(jià)態(tài)高于鈣鈦礦ABX
3結(jié)構(gòu)中的B位元素的價(jià)態(tài),這些高價(jià)陽(yáng)離子與鈣鈦礦材料中所含的B位元素兩者的原子比不高于10
?5:1,從而降低鈣鈦礦材料的載流子濃度,并降低以該鈣鈦礦材料作為活性材料的探測(cè)器的暗電流。本發(fā)明通過(guò)控制摻雜元素的種類,尤其通過(guò)對(duì)摻雜元素濃度的調(diào)控,向鈣鈦礦活性層材料中摻雜痕量的高價(jià)陽(yáng)離子,能夠有效解決現(xiàn)有技術(shù)鈣鈦礦探測(cè)器中存在的暗電流高和靈敏度低的問(wèn)題,并解決靈敏度、工作偏壓、穩(wěn)定性和環(huán)境污染等指標(biāo)不能兼顧的問(wèn)題,獲得高性能、穩(wěn)定的半導(dǎo)體探測(cè)器。
聲明:
“抑制鈣鈦礦探測(cè)器暗電流的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)